型号: RN1110MFV,L3F
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： RN1110MFV, RN1111MFV -
标准包装： 8,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 @ 1mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁： -
功率 - 最大值： 150mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-723
供应商器件封装： VESM
其它名称： RN1110MFV,L3F(TRN1110MFVL3F
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