型号: RN1130MFV(TL3,T)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： RN1130MFV -
标准包装： 8,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 100k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 100k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 10mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
频率 - 跃迁： 250MHz
功率 - 最大值： 150mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-723
供应商器件封装： VESM
其它名称： RN1130MFV(TL3T)TRRN1130MFVTL3T
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：朱芳仪
电话：18123863116
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：苏先生
电话：15361668939
Q Q:
联系人：江小姐
电话：19967567717
Q Q:
