型号:  RN1403(T5L,F,T)

功能描述:   Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  NPN - Pre-Biased

- 集电极电流（Ic）（最大）：  100mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

电阻 - 基地（R1）（欧姆）：  22k

电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆）：  22k

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  70 @ 10mA, 5V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  300mV @ 250µA, 5mA

电流 - 集电极截止（最大）：  500nA

频率转换：  250MHz

功率 - 最大：  200mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  S-Mini (2.9x2.5)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

供应商封装形式：  S-Mini

最小直流电流增益：  70@10mA@5V

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最低工作温度：  -55

包装高度：  1.1

典型输入电阻：  22

最大功率耗散：  200

引脚数：  3

封装：  Tape and Reel

Maximum Continuous DC Collector Current ：  100

最大集电极发射极饱和电压：  0.3@0.25mA@5mA

包装宽度：  1.5

安装：  Surface Mount

PCB：  3

包装长度：  2.9

最大集电极发射极电压：  50

配置：  Single

类型：  NPN

典型电阻器比率：  1

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  NPN - Pre-Biased

频率 - 转换：  250MHz

电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：  22k

电流 - 集电极截止（最大）：  500nA

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 250µA, 5mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  S-Mini

电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）：  22k

功率 - 最大：  200mW

标准包装：  3,000

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型：  Surface Mount

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  70 @ 10mA, 5V

其他名称：  Q5157380

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

集电极 - 发射极电压：  50 V

包装类型：  SMini

直流电流增益：  70

工作温度分类：  Military