型号:  RN1409(TE85L,F)

功能描述:   TRAN NPN S-MINI 50V 100A

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  NPN - Pre-Biased

频率 - 转换：  250MHz

电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：  47k

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA (ICBO)

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 250µA, 2.5mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  *

封装：  *

电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）：  22k

功率 - 最大：  200mW

标准包装：  3,000

封装/外壳：  *

安装类型：  *

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  70 @ 10mA, 5V

其他名称：  RN1409(TE85LF)TR

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

峰值直流集电极电流：  100 mA

晶体管极性：  NPN

配置：  Single

典型输入电阻：  47 kOhms

直流集电极/增益hfe最小值：  70

安装风格：  SMD/SMT

最大工作频率：  250 MHz (Typ)

发射极 - 基极电压VEBO：  15 V

功率耗散：  200 mW

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  50 V

最低工作温度：  - 55 C

典型电阻器比率：  2.14

连续集电极电流：  100 mA

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant