型号: RN1417(TE85L,F)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： RN1414-18 -
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 10k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 4.7k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 30 @ 10mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
频率 - 跃迁： 250MHz
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： S-Mini
其它名称： RN1417(TE85LF)TR
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：白面书生
电话：15889481983
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18173569573
Q Q:
联系人：even
电话：13385474949
Q Q:
