型号: RN1904FE(T5L,F,T)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： RN1901FE-06FE -
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 47k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 47k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 10mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁： 250MHz
功率 - 最大值： 100mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： ES6
其它名称： RN1904FE(T5LFT)TR
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：陈生
Q Q:
联系人：程双
电话：18390158827
Q Q:
