型号: RN1907(T5L,F,T)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： RN1907-09 -
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 10k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 47k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 10mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
频率 - 跃迁： 250MHz
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： US6
其它名称： RN1907(T5LFT)TR
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：刘金政，
电话：13811057772
Q Q:
联系人：张小慧
电话：18500091576
Q Q:
