型号: RN2101MFV(TPL3)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： RN210(1-6) -
标准包装： 8,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 4.7k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 30 @ 10mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
频率 - 跃迁： 250MHz
功率 - 最大值： 150mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-723
供应商器件封装： VESM
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
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