型号: RN2105(T5L,F,T)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表: RN2101-06 -
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列: -
包装: 带卷(TR)
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 2.2k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 47k
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 80 @ 10mA,5V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值): 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 200MHz
功率 - 最大值: 100mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商器件封装: SSM
其它名称: RN2105(T5LFT)TR
联系人:刘先生,李小姐
电话:13510175077
联系人:曹,林
电话:13352984345
联系人:朱丽娜
电话:15989349634
联系人:彭先生,许娜
电话:19068068798
联系人:黄小姐
电话:13916909260
联系人:Freya
电话:13636653728
联系人:张小姐
电话:18688969163
联系人:Sam
联系人:危女士
电话:13419674900
联系人:小陈
Q Q: