型号: RN2113(T5L,F,T)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： RN2112-13 -
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 47k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 @ 1mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁： 200MHz
功率 - 最大值： 100mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-75，SOT-416
供应商器件封装： SSM
其它名称： RN2113(T5LFT)TR
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：朱芳仪
电话：18123863116
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：周
Q Q:
联系人：郭先生
电话：18620376149
Q Q:
