型号: RN2116(T5L,F,T)
功能描述: TRAN PNP SSM -50V -100A
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
电流 - 集电极（ Ic）（最大）： 100mA
晶体管类型： PNP - Pre-Biased
频率 - 转换： 200MHz
电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）： 4.7k
电流 - 集电极截止（最大）： 100nA (ICBO)
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件： 300mV @ 250µA, 5mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 50V
供应商设备封装： *
封装： *
电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）： 10k
功率 - 最大： 100mW
标准包装： 3,000
封装/外壳： *
安装类型： *
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时： 50 @ 10mA, 5V
其他名称： RN2116(T5LFT)TR
RoHS指令： Lead free / RoHS Compliant
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