型号: RN2116(T5L,F,T)
功能描述: TRAN PNP SSM -50V -100A
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
电流 - 集电极( Ic)(最大): 100mA
晶体管类型: PNP - Pre-Biased
频率 - 转换: 200MHz
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆): 4.7k
电流 - 集电极截止(最大): 100nA (ICBO)
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件: 300mV @ 250µA, 5mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 50V
供应商设备封装: *
封装: *
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆): 10k
功率 - 最大: 100mW
标准包装: 3,000
封装/外壳: *
安装类型: *
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时: 50 @ 10mA, 5V
其他名称: RN2116(T5LFT)TR
RoHS指令: Lead free / RoHS Compliant
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