型号:  RN2306,LF

功能描述:  双极晶体管 - 预偏置 USM TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  双极晶体管 - 预偏置

RoHS:  是

配置:  Single

晶体管极性:  PNP

典型输入电阻器:  4.7 kOhms

典型电阻器比率:  0.1

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SC-70

直流集电极/Base Gain hfe Min:  80

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 50 V

集电极连续电流:  - 100 mA

Pd-功率耗散:  100 mW

系列:  RN2306

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

集电极—基极电压 VCBO:  - 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 5 V

高度:  0.9 mm

长度:  2 mm

类型:  PNP Epitaxial Silicon Transistor

宽度:  1.25 mm

商标:  Toshiba

最大直流电集电极电流:  - 100 mA

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

单位重量:  28 mg