型号: RN2306,LF
功能描述: 双极晶体管 - 预偏置 USM TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 预偏置
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: PNP
典型输入电阻器: 4.7 kOhms
典型电阻器比率: 0.1
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 50 V
集电极连续电流: - 100 mA
Pd-功率耗散: 100 mW
系列: RN2306
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极—基极电压 VCBO: - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
类型: PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度: 1.25 mm
商标: Toshiba
最大直流电集电极电流: - 100 mA
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 28 mg
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