型号: RN2313,LF
功能描述: 双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 预偏置
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: PNP
典型输入电阻器: 47 kOhms
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min: 120
最大工作频率: 200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
峰值直流集电极电流: 100 mA
Pd-功率耗散: 100 mW
最大工作温度: + 150 C
系列: RN2313
封装: Cut Tape
封装: Reel
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
商标: Toshiba
通道模式: Enhancement
最大直流电集电极电流: 100 mA
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 6 mg
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