型号: RN4909FE(TE85L,F)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： RN4909FE -
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 47k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 22k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 70 @ 10mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁： 200MHz
功率 - 最大值： 100mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： ES6
其它名称： RN4909FE(TE85LF)TR
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13417122760
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：郑
电话：18090100563
Q Q:
联系人：谭显军
电话：18911733410
Q Q:
