型号: ROHEM6M2T2R
功能描述: Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.2A 6-Pin EMT T/R
制造商: rohm semiconductor
包装： 6EMT
渠道类型： N|P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 0.2 A
RDS -于： 1000@4V@N Channel|1200@4.5V@P Channel mOhm
最大门源电压： ±8@N Channel|±10@P Channel V
典型导通延迟时间： 5@N Channel|6@P Channel ns
典型上升时间： 10@N Channel|4@P Channel ns
典型关闭延迟时间： 15@N Channel|17@P Channel ns
典型下降时间： 10@N Channel|17@P Channel ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
联系人：麦逸芬
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Q Q:
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