型号: ROHUS6M2TR
功能描述: Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A/1A 6-Pin TUMT T/R
制造商: rohm semiconductor
包装： 6TUMT
渠道类型： N|P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30@N Channel|20@P Channel V
最大连续漏极电流： 1.5@N Channel|1@P Channel A
RDS -于： 240@4.5V@N Channel|390@4.5V@P Channel mOhm
最大门源电压： 12 V
典型导通延迟时间： 7@N Channel|9@P Channel ns
典型上升时间： 9@N Channel|8@P Channel ns
典型关闭延迟时间： 15@N Channel|25@P Channel ns
典型下降时间： 6@N Channel|10@P Channel ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：曾小姐
电话：18025356461
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：李林，史小姐，李小姐
电话：15816893710
Q Q:
联系人：徐文恒
电话：18673875344
Q Q:
联系人：肖小姐
Q Q:
