型号: ROHUS6M2TR
功能描述: Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A/1A 6-Pin TUMT T/R
制造商: rohm semiconductor
包装： 6TUMT
渠道类型： N|P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30@N Channel|20@P Channel V
最大连续漏极电流： 1.5@N Channel|1@P Channel A
RDS -于： 240@4.5V@N Channel|390@4.5V@P Channel mOhm
最大门源电压： 12 V
典型导通延迟时间： 7@N Channel|9@P Channel ns
典型上升时间： 9@N Channel|8@P Channel ns
典型关闭延迟时间： 15@N Channel|25@P Channel ns
典型下降时间： 6@N Channel|10@P Channel ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
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Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
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Q Q:
联系人：刘勇
电话：33253606
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联系人：朱先生
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Q Q:
