型号: RP1A090ZPTR
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 59nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 7400pF @ 6V
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 12 毫欧 @ 9A,4.5V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: MPT6
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 4.5V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 6V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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