型号: RP1A090ZPTR
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 59nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 7400pF @ 6V
功率耗散（最大值）： 2W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 12 毫欧 @ 9A，4.5V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： MPT6
封装/外壳： 6-SMD，扁平引线
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 6V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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