型号: RP1E090RPTR
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 30nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3000pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 10V
功率耗散（最大值）： 2W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 16.9 毫欧 @ 9A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： MPT6
封装/外壳： 6-SMD，扁平引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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