型号: RP1L055SNTR
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 730pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 2W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 49 毫欧 @ 5.5A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： MPT6
封装/外壳： 6-SMD，扁平引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：郑建阳
电话：19926440755
Q Q:
联系人：郭先生
电话：18620376149
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
