型号: RQ1E100XNTR
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 12.7nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1000pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 550mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 10.5 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TSMT8
封装/外壳： 8-SMD，扁平引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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