型号: RQ3E150MNTB1
功能描述: MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSMT-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Single
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 10 S
下降时间: 40 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
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