型号:  RQ6E085BNTCR

功能描述:  MOSFET Nch 30V 8.5A Si MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-457-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  8.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  11.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  32.7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.25 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  8 S

下降时间:  31 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  16 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  70 ns

典型接通延迟时间:  11 ns

零件号别名:  RQ6E085BN