型号: RQA0002DNSTB-E
功能描述: MOSFET N-CH HWSON2
制造商: Renesas Electronics America
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 16V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 750mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 750mV @ 1mA
Vgs（最大值）: ±5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 102pF @ 0V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 15W（Tc）
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 2-HWSON（5x4）
封装/外壳: 3-DFN 裸露焊盘
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