型号: RQJ0601DGDQS#H3
功能描述: Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) UPAK
制造商: renesas electronics
包装： 4UPAK
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 60 V
最大连续漏极电流： 2.8 A
RDS -于： 155@10V mOhm
最大门源电压： 10 V
典型导通延迟时间： 20 ns
典型上升时间： 41 ns
典型关闭延迟时间： 43 ns
典型下降时间： 78 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
连续漏极电流： 2.8 A
栅源电压（最大值）： 10 V
功率耗散： 1.5 W
漏源导通电阻： 0.155 ohm
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： UPAK
引脚数： 3 +Tab
极性： P
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 60 V
弧度硬化： No
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