型号: RRL035P03TR
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 3.5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 8nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 800pF @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 320mW(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 50 毫欧 @ 3.5A,10V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
封装形式Package: TUMT
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 3.5A
无铅情况/RoHs: 否
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