型号: RRL035P03TR
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 3.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 8nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 800pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 50 毫欧 @ 3.5A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-SMD，扁平引线
封装形式Package： TUMT
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 3.5A
无铅情况/RoHs： 否
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