RS1G180MNTB规格参数_RS1G180MNTB全国代理商/分销商

型号: RS1G180MNTB
功能描述: RS1G180MN Series 40 V 18 A 19.5 nC Surface Mount N-Channel Power Mosfet - HSOP-8
制造商: ROHM Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 18A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 19.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1293pF @ 20V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 3W（Ta），30W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 7 毫欧 @ 18A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： 8-PowerTDFN
封装形式Package： HSOP
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 40V
连续漏极电流ID： 18A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs