型号:  RSD080P05TL

功能描述:  MOSFET TRNSISTR 4V DRVE PCH MOSFET CPT PKG

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  45 V

Id-连续漏极电流:  8 A

Rds On-漏源导通电阻:  65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  9 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  15 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  RSD080P05

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  20 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  50 ns

典型接通延迟时间:  12 ns

零件号别名:  RSD080P05

单位重量:  340 mg