型号: RSD131P10TL
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 40nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2400pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 850mW（Ta），20W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 200 毫欧 @ 6.5A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： CPT3
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：张芯
电话：13826921752
Q Q:
联系人：陈先生
电话：17665206715
Q Q:
联系人：肖宏杰
电话：13662243855
Q Q:
