型号: RSD150N06TL
功能描述: MOSFET N-Channel Mosfet 100V, 10A, 4V gate drive
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 18 nC
Pd-功率耗散: 20 W
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: RSD150N06
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: RSD150N06
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