型号: RSD200N10TL
功能描述: Rohm Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Rohm Semiconductor
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 2,500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 20A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 52 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 48.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2200pF @ 25V
功率 - 最大值: 20W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: CPT3
其它名称: RSD200N10TLTR
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