型号: RSJ650N10TL
功能描述: Rohm Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Rohm Semiconductor
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 65A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 9.1 毫欧 @ 32.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 260nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 10780pF @ 25V
功率 - 最大值： 100W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-83
供应商器件封装： LPTS
其它名称： RSJ650N10TLTR
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