型号: RSS100N03FU6TB
功能描述: N-Channel 2 W 30 V 18.9 mOhm Surface Mount 4 V Drive MosFet - SOIC-8
制造商: ROHM Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 10A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1070pF @ 10V
Vgs（最大值）： 20V
功率耗散（最大值）： 2W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 13 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SOP
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 10A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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