型号: RSS105N03FU6TB
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 5V
Vgs(最大值): 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1130pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 10V
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 11.7 毫欧 @ 10.5A,10V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 8-SOP
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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