型号: RSS125N03FU6TB
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 12.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 28nC @ 5V
Vgs（最大值）： 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1670pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 2W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 8.9 毫欧 @ 12.5A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SOP
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：Wang
电话：13631509155
Q Q:
联系人：张健
电话：13728621792
Q Q:
联系人：陈小姐
Q Q:
