型号:  RSU002P03T106

功能描述:  二极管与整流器

制造商:  ROHM Semiconductor

系列：  RSU

高度：  0.8 mm

长度：  2 mm

类型：  MOSFET

宽度：  1.25 mm

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

典型接通延迟时间：  8 ns

上升时间：  5 ns

Vgs-栅极-源极电压：  20 V

Pd-功率耗散：  200 mW

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  - 250 mA

Vds-漏源极击穿电压：  - 30 V

晶体管类型：  1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  1.6 Ohms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  P-Channel

典型关闭延迟时间：  30 ns

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  250mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  30pF @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  200mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  1.4 欧姆 @ 250mA，10V

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SC-70，SOT-323

封装形式Package：  UMT

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  0.25A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs