型号:  RTR025N03TL

功能描述:  二极管与整流器

制造商:  ROHM Semiconductor

系列：  RTR

高度：  0.85 mm

长度：  2.9 mm

类型：  MOSFET

宽度：  1.6 mm

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

下降时间：  10 ns

典型接通延迟时间：  9 ns

上升时间：  15 ns

Vgs-栅极-源极电压：  12 V

Pd-功率耗散：  1 W

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  2.5 A

Vds-漏源极击穿电压：  30 V

晶体管类型：  1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  950 mOhms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  N-Channel

典型关闭延迟时间：  25 ns

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  2.5A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  4.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  220pF @ 10V

Vgs（最大值）：  12V

功率耗散（最大值）：  1W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  92 毫欧 @ 2.5A，4.5V

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SC-96

封装形式Package：  TSMT

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  2.5A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs