型号: RTU002P02
功能描述: 2.5V Drive Pch MOS FET
制造商: ROHM
典型关断延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
典型输入电容值@Vds: 50 pF V @ 10
安装类型: 表面贴装
宽度: 1.6mm
封装类型: TSMT
尺寸: 2.9 x 1.6 x 0.85mm
引脚数目: 3
最大功率耗散: 200 mW
最大栅源电压: ±12 V
最大漏源电压: 20 V
最大漏源电阻值: 1.5
最大连续漏极电流: 0.25 A
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: P
配置: 单
长度: 2.9mm
高度: 0.85mm
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