型号: RU190N08R
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312W 类型：N沟道
制造商: Ruichips(锐骏半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 190A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.8mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 312W
类型: N沟道
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13534004157
Q Q:
联系人：廖女士
电话：13267152167
Q Q:
联系人：张先生，张小姐，陈先生，李小姐
Q Q:
