型号: RU2020H
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
制造商: Ruichips(锐骏半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 20A
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 5.2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 3.1W
类型: N沟道
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:黄生
电话:18173536606
联系人:李佳文
电话:18927449101
联系人:陈婷婷