型号: RU2020H
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
制造商: Ruichips(锐骏半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 5.2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.1W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：赵
电话：13425145860
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13590379292
Q Q:
联系人：赵先生
电话：13622328433
Q Q:
