型号: RU3040M2
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Ruichips(锐骏半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 40A(Tc)
栅源极阈值电压: 1.8V @ 250uA
漏源导通电阻: 8mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 31W(Tc)
类型: N沟道
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