型号: RU40120S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Ruichips(锐骏半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 120A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.5mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：符小姐
电话：13410384382
Q Q:
联系人：洪先生
电话：18257347182
Q Q:
联系人：陈之平
电话：88600487
Q Q:
