型号: RU6099R
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W 类型：N沟道
制造商: Ruichips(锐骏半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 120A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 7mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150W
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：沈彩媛
电话：14774981825
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18926082802
Q Q:
联系人：蔡小姐
Q Q:
