型号:  RUC002N05T116

功能描述:  MOSFET Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  50 V

Id-连续漏极电流:  200 mA

Rds On-漏源导通电阻:  2.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  350 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  RUC002N05

晶体管类型:  1 N-Channel MOSFET

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  55 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  6 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  15 ns

典型接通延迟时间:  4 ns

零件号别名:  RUC002N05

单位重量:  8 mg