型号:  RUF025N02FRATL

功能描述:  MOSFET Nch 20V Vds 2.5A 0.08Rds(on) 5Qg

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TUMT-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  39 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  5 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  800 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  35 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

零件号别名:  RUF025N02FRA