型号: RUH60100M
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：126W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Ruichips(锐骏半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 4mΩ @ 35A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 126W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13530596253
Q Q:
联系人：Michael
Q Q:
联系人：刘财路
电话：13410000176
Q Q:
