型号: RUM002N05MGT2L
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道
制造商: ROHM(罗姆)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 200mA
栅源极阈值电压: 1V @ 1mA
漏源导通电阻: 2.2Ω @ 200mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150mW
类型: N沟道
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