型号: RV2C001ZPT2L
功能描述: MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN1006-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 100 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Pd-功率耗散: 100 mW
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 0.4 mm
长度: 1 mm
系列: RV2C001ZP
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 0.6 mm
商标: ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 120 mS
下降时间: 137 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 62 ns
工厂包装数量: 8000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 325 ns
典型接通延迟时间: 46 ns
零件号别名: RV2C001ZP
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