型号:  RV2C001ZPT2L

功能描述:  MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN1006-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  100 mA

Rds On-漏源导通电阻:  2.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Pd-功率耗散:  100 mW

配置:  Single

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

高度:  0.4 mm

长度:  1 mm

系列:  RV2C001ZP

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  0.6 mm

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  120 mS

下降时间:  137 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  62 ns

工厂包装数量:  8000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  325 ns

典型接通延迟时间:  46 ns

零件号别名:  RV2C001ZP