型号:  RW1E015RPT2R

功能描述:  MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-563-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  270 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  6.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  700 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

高度:  0.65 mm

长度:  1.7 mm

产品:  MOSFET

系列:  RW1E015RP

晶体管类型:  1 P-Channel

类型:  Power MOSFET

宽度:  1.4 mm

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  1.2 S

下降时间:  13 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8 ns

工厂包装数量:  8000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  40 ns

典型接通延迟时间:  12 ns

零件号别名:  RW1E015RP

单位重量:  3 mg