型号:  SBC847BPDW1T1G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

晶体管类型：  NPN，PNP

电流-集电极（Ic）（最大值）：  100mA

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  600mV @ 5mA，100mA

电流-集电极截止（最大值）：  15nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  200 @ 2mA，5V

功率-最大值：  380mW

频率-跃迁：  100MHz

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SC-88/SC70-6/SOT-363

封装形式Package：  SOT-363

极性Polarity：  NPN+PNP

集电极最大允许电流Ic：  0.1A

集电极_发射极击穿电压VCEO：  45V

功率 - 最大值：  380mW

频率 - 跃迁：  100MHz

封装/外壳：  6-TSSOP，SC-88，SOT-363

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  45V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  600mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  15nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  200 @ 2mA，5V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs